外資入局中國28nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)，本土廠商舉步維艱

隨著聯(lián)電廈門子公司聯(lián)芯的28納米先進(jìn)制程計(jì)劃在今年第二季正式量產(chǎn)，TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，中國本土晶圓代工廠今年將沖刺在28納米最先進(jìn)制程的布局，進(jìn)度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子，然而，隨著外資紛紛于中國設(shè)立晶圓廠，本土晶圓代工廠面臨技術(shù)、人才、市場(chǎng)上的直接競(jìng)爭(zhēng)壓力。

拓墣指出，中國本土純晶圓代工廠商目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程為28納米，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，中芯國際28納米晶圓產(chǎn)品2016年的年晶圓產(chǎn)能全球占比不足1 %，與28納米制程市占率分別為66.7%、16.1%與8. 4%的前三大純晶圓代工廠商臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。

不過，根據(jù)中芯國際季報(bào)顯示，2016年第四季28納米營收占比達(dá)到3.5%。中芯國際首席執(zhí)行長邱慈云在2月15日的法說會(huì)上表示，28納米以下制程會(huì)是2017年中芯的成長動(dòng)能之一，預(yù)期2017年底28納米以下制程，將占公司營收比重達(dá)到7%~ 9%。甫公布的中芯國際2016年業(yè)績報(bào)告中，也展望2017年底28納米季營收占比接近10%。

觀察華力微電子的制程布局進(jìn)度，雖然華力微電子宣布與聯(lián)發(fā)科合作的28納米行動(dòng)通訊芯片已順利流片，但距量產(chǎn)仍有一段距離。華力微電子二期專案已于2016年底開工，計(jì)劃2018年完工試產(chǎn)，預(yù)期將導(dǎo)入28納米生產(chǎn)線，后期逐漸過渡至20納米、14納米，華力微電子二期項(xiàng)目也有導(dǎo)入22納米FD- SOI制程的考慮計(jì)劃。

拓墣指出，目前正值中國積體電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展時(shí)期，除了本土晶圓制造廠商大力擴(kuò)張發(fā)展外，受地方政府及地方資本的追捧，外資廠商也紛紛登陸，各廠商都寄望在中國積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵之際提前布局，占據(jù)有利市場(chǎng)地位。根據(jù)外資廠商進(jìn)駐中國的技術(shù)布局習(xí)慣，一般會(huì)授權(quán)（N-1）代的技術(shù)，然而，這些技術(shù)往往又會(huì)對(duì)同期中國本土廠商產(chǎn)品造成很大的沖擊。

外資晶圓廠制程領(lǐng)先，沖擊本土廠商

截至目前，在純晶圓代工領(lǐng)域，選在南京建廠的臺(tái)積電將于2018年下半年導(dǎo)入16納米FinF ET制程，預(yù)計(jì)對(duì)中芯國際2019年初的14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃產(chǎn)生較大影響；于成都落腳的格羅方德將于2019年底導(dǎo)入22納米  FD-SOI制程，直接壓迫同期華力微電子22納米FD- SOI制程的布局計(jì)劃。

另一方面，去年底剛投產(chǎn)的廈門聯(lián)芯，初期導(dǎo)入55 /  40納米制程，近日在聯(lián)電成功實(shí)現(xiàn)14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃的條件下，宣布正式授權(quán)廈門聯(lián)芯28納米技術(shù)，并計(jì)劃最快2017年第二季導(dǎo)入量產(chǎn)，預(yù)估到年底在產(chǎn)能1萬6,000片中，有1萬片是28納米。在量產(chǎn)速度上，聯(lián)芯成為中國領(lǐng)先。雖然中芯國際的28納米制程已在這之前開始量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來看，中芯更多偏向中低階的28納米Ploy/ SiON技術(shù)，對(duì)于高階的28納米HKMG制程涉足并不深，而聯(lián)電的28納米在量產(chǎn)時(shí)間上領(lǐng)先中芯國際兩年，技術(shù)水準(zhǔn)也相對(duì)更加全面和穩(wěn)定，預(yù)計(jì)未來會(huì)對(duì)中芯國際28納米的布局產(chǎn)生較大的影響。

因此，拓墣指出，未來隨著各外資廠商新廠的落成投產(chǎn)，等待中國本土廠商的將是來自各外資廠商在技術(shù)、人才、市場(chǎng)等多方面資源的直接競(jìng)爭(zhēng)，中國晶圓代工廠先進(jìn)制程布局將全面開戰(zhàn)。