臺(tái)積電重返存儲(chǔ)代工市場(chǎng)，直打三星七寸

晶圓代工大廠(chǎng)臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及存儲(chǔ)市場(chǎng)。臺(tái)積電這次重返存儲(chǔ)市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代存儲(chǔ)，因傳輸速度比一般快閃存儲(chǔ)快上萬(wàn)倍，是否引爆存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。

臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成日前在臺(tái)積電技術(shù)論壇，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)）和eRRAM（嵌入式電阻式存儲(chǔ)）分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22納米制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算電腦和智慧汽車(chē)等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新存儲(chǔ)。

這也是臺(tái)積電共同CEO魏哲家向法人表達(dá)不會(huì)跨足標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)，不會(huì)角逐東芝分割成立半導(dǎo)體公司股權(quán)后，臺(tái)積電再次說(shuō)明存儲(chǔ)的戰(zhàn)策布局，將瞄準(zhǔn)效能比一般DRAM和儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星電子也在一場(chǎng)晶圓廠(chǎng)商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代存儲(chǔ)產(chǎn)品的存儲(chǔ)廠(chǎng)，產(chǎn)品技術(shù)時(shí)程大幅領(lǐng)先臺(tái)積電，三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入。

據(jù)了解，臺(tái)積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代存儲(chǔ)研發(fā)，多年來(lái)因難度高，商業(yè)化和競(jìng)爭(zhēng)力遠(yuǎn)不如DRAM，導(dǎo)致多家廠(chǎng)商都都僅限于研發(fā)。

存儲(chǔ)業(yè)者表示，次世代存儲(chǔ)中，投入研發(fā)的廠(chǎng)商主要集中MRAM、RRAM及相變化存儲(chǔ)（PRAM）等三大次世代存儲(chǔ)，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的存儲(chǔ)類(lèi)型。

不過(guò)，在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限，包括無(wú)人車(chē)、AI人工智慧、高階智慧型手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺(tái)積電認(rèn)為商機(jī)即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進(jìn)行商業(yè)化量產(chǎn)。

eMRAM：晶圓代工產(chǎn)業(yè)的非常規(guī)競(jìng)爭(zhēng)

為什么晶圓產(chǎn)業(yè)在談10nm以下、甚至延伸可能至3、4nm的尖端武器軍備競(jìng)賽，以及諸如EUV (Extreme Ultra Violet)的終極武器時(shí)，卻還費(fèi)勁的去談28nm、甚至是40nm的傳統(tǒng)制程？原因是現(xiàn)在的IC集積度高，各種功能－譬如存儲(chǔ)－都必須被整合入單一IC之中。而在制程的演進(jìn)過(guò)程之中，有些傳統(tǒng)的嵌入式存儲(chǔ)無(wú)法順利再被微縮，或者性能無(wú)法滿(mǎn)足新興起的應(yīng)用，因此新的嵌入式存儲(chǔ)必須被引入，以滿(mǎn)足持續(xù)微縮以及性能上的需求。

晶圓代工業(yè)中4個(gè)還在快速成長(zhǎng)的領(lǐng)域手機(jī)(mobile)、高性能計(jì)算(HPC；High Performance Computation)、汽車(chē)(automotive)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)中，汽車(chē)與物聯(lián)網(wǎng)的MCU制程正在進(jìn)入這些制程世代，前者需要高速嵌入式存儲(chǔ)，后者需要低功耗嵌入式存儲(chǔ)，而新興的嵌入式存儲(chǔ)正是以同時(shí)滿(mǎn)足這些需求為目的來(lái)開(kāi)發(fā)的。特別是物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，CAGR預(yù)估為25%，為所有應(yīng)用中成長(zhǎng)最快的，是晶圓代工業(yè)的兵家必爭(zhēng)之地。

雖然市場(chǎng)對(duì)eMRAM技術(shù)需求殷切，但是從各家晶圓代工業(yè)者所公布的生產(chǎn)時(shí)程來(lái)看，時(shí)程較一、兩年前的預(yù)期都有些延宕，而且還存有不確定性。主要的原因是因?yàn)閑MRAM是制程微縮研發(fā)主軸之外的技術(shù)，不是常規(guī)的研發(fā)題材；而晶圓代工以制造服務(wù)業(yè)自居、習(xí)慣由顧客來(lái)帶領(lǐng)方向，對(duì)于前瞻性、大轉(zhuǎn)彎的研發(fā)一向有些遲疑。

熟悉產(chǎn)業(yè)的人也許會(huì)舉反例：Samsung不是早就在2011年就并購(gòu)了研發(fā)MRAM為核心事業(yè)的Grandis了嗎？是的，但是當(dāng)初并購(gòu)的主要目的是為了其存儲(chǔ)事業(yè)部，并購(gòu)后最初設(shè)計(jì)的產(chǎn)品也是DRAM-like的產(chǎn)品，雖然最終沒(méi)有成功。從這個(gè)例子恰恰好可以看出過(guò)去產(chǎn)品公司與制造服務(wù)公司對(duì)于研發(fā)思維模式的差異。但是產(chǎn)業(yè)的環(huán)境改變了，想法也得跟著改，eMRAM這個(gè)非常規(guī)的競(jìng)爭(zhēng)軸線(xiàn)讓我們有機(jī)會(huì)觀(guān)察產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)策略的變遷。