內(nèi)存銷售額創(chuàng)紀(jì)錄背后的喜與憂

當(dāng)手機(jī)廠商供應(yīng)鏈缺貨的消息一波波接踵而至的時(shí)候，嗅覺(jué)敏銳的半導(dǎo)體廠商已經(jīng)意識(shí)到，在今年的手機(jī)大潮中，技術(shù)已經(jīng)淪為了故事的配角，這種情況在DRAM和NAND內(nèi)存市場(chǎng)尤其突出。

是的，三星、SK海力士、美光這樣的內(nèi)存大廠在這場(chǎng)大戲中悉數(shù)到場(chǎng)，大張旗鼓，加碼內(nèi)存芯片布局的舉措真可謂是應(yīng)接不暇，頗為熱鬧。不論是原本作為主角的智能手機(jī)還是其他的手機(jī)零部件，即便缺貨情況也是真實(shí)存在的，但是與內(nèi)存相比，不免有些相形見(jiàn)絀。

根據(jù)IC Insights的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND這兩種內(nèi)存類型的銷售額在今年將創(chuàng)下歷史新高。

就DRAM而言，根據(jù)Trendforce公司旗下DRAMeXchange事業(yè)部公布的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，就在2017年前三個(gè)月中，內(nèi)存組件的整體銷售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的141億美元，較上年同期增長(zhǎng)達(dá)13.4%。另外，與2016年第四季度進(jìn)行比較，2017年第一季度的PC DRAM組件平均銷售價(jià)格增長(zhǎng)了至少30%。

與此同時(shí)，服務(wù)器與移動(dòng)市場(chǎng)亦因此受到嚴(yán)重影響，其中移動(dòng)DRAM產(chǎn)品的價(jià)格平均上漲近10%。

在這種情況影響之下，三星作為市場(chǎng)王者，營(yíng)收達(dá)到63億美元，較上個(gè)季度增長(zhǎng)6.8%且目前占據(jù)整體市場(chǎng)份額的44.8%。

實(shí)際上，三星近幾年已經(jīng)嘗到了來(lái)自芯片市場(chǎng)的甜頭，芯片產(chǎn)品成為和面板一樣的利潤(rùn)奶牛。摩根士丹利就表示，半導(dǎo)體部門營(yíng)業(yè)利潤(rùn)占據(jù)三星電子第二季度總營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的60%以上，該部門的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)主要來(lái)自存儲(chǔ)芯片。而外界普遍預(yù)測(cè)，在半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)的帶動(dòng)下，三星電子第二季度利潤(rùn)有望創(chuàng)歷史新高。

可以說(shuō)，內(nèi)存芯片銷售額暴漲，將使三星電子首度超越全球最大半導(dǎo)體制造商英特爾。

除了三星，美光也在DRAM價(jià)格上漲的影響下出現(xiàn)了營(yíng)收的大幅度增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，內(nèi)存芯片銷售額暴漲，將使三星電子首度超越全球最大半導(dǎo)體制造商英特爾。

另一方面，2017年第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚(yáng)約20-25%。

受到中國(guó)智能手機(jī)以及SSD的需求動(dòng)能帶動(dòng)，加上整體NAND Flash庫(kù)存水位偏低，推升平均售價(jià)(ASP)季成長(zhǎng)約15%，雖然SK海力士第一季度位元出貨量(bit shipment)較去年第四季下降3%，但所有產(chǎn)品線均維持穩(wěn)定的獲利水位。

三星第一季SSD占整體產(chǎn)品組合比重已超過(guò)四成，且平均銷售價(jià)格隨著市場(chǎng)缺貨而上揚(yáng)，因此，第一季營(yíng)收雖然較去年第四季度衰退5.8%，但其NAND Flash的營(yíng)業(yè)利益率卻較前一季提升。

　　　　　　　　　　　　天壤之別的出貨量

中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket于今年年初發(fā)布了一份《2016年度閃存產(chǎn)業(yè)報(bào)告和2017年市場(chǎng)分析》，指出2016年整個(gè)閃存產(chǎn)業(yè)就被漲價(jià)、缺貨、3D NAND等籠罩，芯片價(jià)格上漲超過(guò)了80%。

今年5月1日，半導(dǎo)體權(quán)威研究機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的報(bào)告顯示，2017年Q1與2016年Q1相比，DRAM的平均價(jià)格同比上漲了45%，NAND閃存的價(jià)格也同比增長(zhǎng)了40%。

IHS的統(tǒng)計(jì)報(bào)告也指出，DRAM和NAND在未來(lái)五年都會(huì)有3-6倍的需求增長(zhǎng)。因此在這樣的供需矛盾影響下，存儲(chǔ)類元器件50%的漲幅實(shí)屬正常，并且未來(lái)還會(huì)繼續(xù)看漲。

但是銷售額的暴漲，根本原因卻不是出貨量的增加。

就DRAM而言，IC Insights預(yù)計(jì)2017年實(shí)際出貨量將會(huì)有所下降。此外，NAND出貨量與2016年相比，僅僅增長(zhǎng)了2%。對(duì)于DRAM和NAND兩個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)而言，銷售強(qiáng)勁的年增長(zhǎng)率幾乎完全是快速上升的平均銷售價(jià)格（ASP）驅(qū)動(dòng)的。

平均銷售價(jià)格的增長(zhǎng)從2016年開(kāi)始就已經(jīng)初現(xiàn)端倪。資料顯示，2016年4月DRAM ASP為2.41美元，然而2017年1月ASP已迅速揚(yáng)升至3.60美元，漲幅達(dá)49%。IC Insights預(yù)估2017年DRAM與NAND Flash ASP將會(huì)分別大幅年增37%與22%。

　　　　　　　　　　　天災(zāi)人禍的內(nèi)存市場(chǎng)

為什么會(huì)出現(xiàn)這種內(nèi)存價(jià)格的大幅度增長(zhǎng)呢？具體來(lái)說(shuō)，主要有以下幾點(diǎn)原因：

首先，內(nèi)存良率問(wèn)題。

三星在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號(hào)的 18 納米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬(wàn)臺(tái)的不良率) 有大幅提升的狀況。

市場(chǎng)原本預(yù)計(jì)，在進(jìn)入 2017 年第 2 季之后，因?yàn)橛腥?18 納米的 PC DRAM 內(nèi)存模塊與美光 17 納米的 PC DRAM 內(nèi)存模塊相繼出貨，供貨吃緊的狀況應(yīng)該可以得到緩解。 不料，三星繼上次召回有瑕疵的 18 納米制程的 PC DRAM 內(nèi)存模塊之后，近期再次出貨的情況仍舊沒(méi)有改善，還因而造成 PC大廠在 DPPM ( 每百萬(wàn)臺(tái)的不良率) 有大幅提升的狀況。

而除了三星之外，美光的 17 納米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊也碰上相類似的情況。 甚至以目前出貨給客戶的樣本來(lái)看，良率還低于 50% 以下。在 17 納米制程的 PC DRAM 內(nèi)存模塊良率有問(wèn)題的情況下，美光又無(wú)法再回頭提供 20 納米制程的產(chǎn)品給客戶，這也使得美光陷入兩難的狀態(tài)。

以上兩種情況，也為 2017 年 DRAM 市場(chǎng)的供貨狀況與價(jià)格變化再投下不確定因素。

其次，天災(zāi)不斷。

在內(nèi)存產(chǎn)能得不到擴(kuò)大的情況下，本來(lái)情況就已經(jīng)夠糟糕了，但是屋漏偏逢連夜雨，內(nèi)存工廠又接連出事。

不久前的7月1日，臺(tái)灣美光晶圓科技發(fā)生氮?dú)馔庑故鹿?，?dǎo)致廠內(nèi)晶片和設(shè)備受到了污染，事故至少造成6萬(wàn)片晶圓報(bào)廢。

此次受到影響的工廠為臺(tái)灣美光晶圓科技的Fab2，廠房為雙子星結(jié)構(gòu)，場(chǎng)內(nèi)可容納2座12寸晶圓廠，工廠產(chǎn)能達(dá)到月產(chǎn)12萬(wàn)片以上。由于去年美光與華亞科正式合并，該廠最早開(kāi)始轉(zhuǎn)入20nm制程，產(chǎn)品線也擴(kuò)充至移動(dòng)設(shè)備中的LPDDR4。

對(duì)于上述事件，TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)表示，報(bào)廢的6萬(wàn)片晶圓約占全球DRAM產(chǎn)能5.5%，鑒于目前DRAM市場(chǎng)供貨吃緊的狀況，加之停工引起的產(chǎn)能中斷，預(yù)計(jì)未來(lái)內(nèi)存價(jià)格還將進(jìn)一步上漲。

以上兩點(diǎn)可以是抬高DRAM的主要原因。

第三，各大內(nèi)存廠商大部分支出主要都用于推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步，而不是用于增加產(chǎn)能。

具體來(lái)說(shuō)，三星、SK海力士和美光在2017年上半年DRAM方面無(wú)新增產(chǎn)能，疊加下游內(nèi)存需求不斷增長(zhǎng)，DRAM合約價(jià)在淡季也明顯上漲。在NAND方面，三星、SK海力士和美光在2017年基本上所有的閃存支出都用在了3D NAND閃存上面，而不是用于擴(kuò)大產(chǎn)能，即便是在今年投入的產(chǎn)能也不可能在短期內(nèi)減小，但是要知道閃存缺貨情況并不是一兩日的光景了。

內(nèi)存廠商在研發(fā)新技術(shù)的時(shí)候忽視了市場(chǎng)對(duì)于產(chǎn)品的需求，不可以不說(shuō)是人禍。

最后，爆發(fā)的市場(chǎng)需求。

造成 NAND Flash 大缺貨的原因，主要因?yàn)楦鞣N電子用品的滲透率提高，加上新興市場(chǎng)使用者從功能性手機(jī)轉(zhuǎn)進(jìn)智能手機(jī)，帶動(dòng)相關(guān)儲(chǔ)存需求急速攀升。

各家NAND Flash廠為競(jìng)逐儲(chǔ)存容量更高的3D NAND，去年開(kāi)始都調(diào)撥產(chǎn)能投入3D NAND Flash生產(chǎn)，結(jié)果因良率未達(dá)預(yù)期，造成全球NANDFlash大缺貨，今年首季更寫(xiě)下歷年來(lái)淡季最大漲幅。

那么如何解決這一問(wèn)題呢？擴(kuò)大產(chǎn)能可以說(shuō)是勢(shì)在必行的一步。

近日，有消息顯示，三星計(jì)劃投資近3萬(wàn)億韓元(約合人民幣183億元)，擴(kuò)充位于京畿道華城工廠17線DRAM產(chǎn)能。若投資完成，華城工廠將再?zèng)]有多余空間，三星計(jì)劃在17線生產(chǎn)增產(chǎn)DRAM、3D NAND閃存以及系統(tǒng)半導(dǎo)體。

　　　　　　　　　　　　　　　　總結(jié)

從內(nèi)存銷售創(chuàng)紀(jì)錄和出貨量增長(zhǎng)不大，我們應(yīng)該注意到，市場(chǎng)對(duì)于DRAM和NAND的需求依舊非常緊迫。盡管2017年DRAM的平均銷售價(jià)格會(huì)在今年下半年放緩，但是全年的平均銷售價(jià)格增長(zhǎng)率依舊達(dá)到了63%。

對(duì)于NAND的平均銷售價(jià)格來(lái)說(shuō)，2017年也將創(chuàng)下新高，預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到33%。

在市場(chǎng)需求與產(chǎn)能的雙重壓迫下，才造成了如今內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格居高不下的局面。

雖然對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)值來(lái)說(shuō)，內(nèi)存價(jià)格的上漲是一個(gè)好消息，據(jù)Gartner最新發(fā)布的統(tǒng)計(jì)顯示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值受到內(nèi)存價(jià)格上漲，今年將首破突破4,000億美元，達(dá)到4,014億美元，年增16.8%。

但是我們應(yīng)當(dāng)深刻的注意到這種情況出現(xiàn)的深層次原因。在這一輪市場(chǎng)增長(zhǎng)中，技術(shù)已經(jīng)不再是推動(dòng)市場(chǎng)的主要?jiǎng)恿Γ@與市場(chǎng)在技術(shù)的推動(dòng)下的實(shí)現(xiàn)良性增長(zhǎng)完全是背道而馳。

我們總是樂(lè)觀的估計(jì)市場(chǎng)的需求和自身能力，而忽視了客觀因素和意外事件的影響。在這一輪漲價(jià)潮中，良率和天災(zāi)就是廠商所忽視的客觀原因。

對(duì)于一個(gè)良性發(fā)展的市場(chǎng)而言，技術(shù)才是主要的驅(qū)動(dòng)力，對(duì)于惡性發(fā)展的市場(chǎng)而言，價(jià)格是廠商競(jìng)爭(zhēng)的根本。今年的內(nèi)存市場(chǎng)，我們不應(yīng)當(dāng)只看到了銷售額的增長(zhǎng)，而陷入價(jià)格的惡性循環(huán)之中，畢竟技術(shù)才是根本！